[发明专利]集成高压二极管及制造方法有效
| 申请号： | 200680047677.4 | 申请日： | 2006-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101331612A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 西奥多·J·莱塔维奇 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种包括集成高压二极管(72)的非对称半导体器件(3)，其包括：衬底，该衬底包括外延层(47)和在该外延层上形成图案的第一类型的深阱注入(42)；将阴极和阳极隔开的浅槽隔离(STI)区；位于阳极下面的第二类型的第一阱注入(40)；以及在深阱注入上和在阳极及STI区的一部分下面形成图案的第二类型的深注入掩模(34)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 高压 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括集成高压二极管的非对称半导体器件(30、32)，其包括：衬底，该衬底包括外延层(47)和在所述外延层上形成图案的第一类型的深阱注入(42)；浅槽隔离(STI)区(46)，其将阴极和阳极(38)隔开；位于所述阳极下面的第二类型(40)的第一阱注入；以及在所述深阱注入上和在所述阴极(36)和所述STI区的一部分下面形成图案的第二类型的深注入掩模(24)。
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