[发明专利]在同一衬底上集成平面和三栅器件

摘要

一种装置包括：在衬底上形成的第一扩散，第一扩散包括一对沟道，每个沟道将源极与漏极分开；在衬底上形成的第二扩散，第二扩散包括将源极与漏极分开的沟道；在衬底上形成的第一栅电极，其中第一栅电极与第一扩散上的所述对沟道其中之一交叠以形成通栅晶体管；以及在衬底上形成的第二栅电极，其中第二栅电极与第一扩散的所述对沟道其中之一交叠以形成下拉晶体管，并与第二扩散的沟道交叠以形成上拉晶体管，并且其中通栅、下拉和上拉晶体管具有至少两种不同的构造。公开了其它实施例并要求其权益。

主权项

1.一种装置，包括：在衬底上形成的第一扩散，所述第一扩散包括一对沟道，每个所述沟道将源极与漏极分开；在所述衬底上形成的第二扩散，所述第二扩散包括将源极与漏极分开的沟道；在所述衬底上形成的第一栅电极，其中所述第一栅电极与所述第一扩散上的所述对沟道其中之一交叠以形成通栅晶体管；以及在所述衬底上形成的第二栅电极，其中所述第二栅电极与所述第一扩散的所述对沟道其中之一交叠以形成下拉晶体管，并与所述第二扩散的所述沟道交叠以形成上拉晶体管，并且其中所述通栅、下拉和上拉晶体管具有至少两种不同的构造。