[发明专利]在同一衬底上集成平面和三栅器件

权利要求书

1.一种用于在同一衬底上集成不同类型晶体管的装置，包括：

在衬底上形成的第一扩散，所述第一扩散包括一对沟道，每个所述沟道将源极与漏极分开；

在所述衬底上形成的第二扩散，所述第二扩散包括将源极与漏极分开的沟道；

在所述衬底上形成的第一栅电极，其中所述第一栅电极与所述第一扩散上的所述对沟道其中之一交叠以形成通栅晶体管；以及

在所述衬底上形成的第二栅电极，其中所述第二栅电极与所述第一扩散的所述对沟道中的另一个交叠以形成下拉晶体管，并与所述第二扩散的所述沟道交叠以形成上拉晶体管，并且其中所述通栅、下拉和上拉晶体管具有至少两种不同的构造，所述至少两种不同的构造包括平面晶体管和三栅晶体管。

2.如权利要求1所述的装置，其中每个扩散具有恒定宽度。

3.如权利要求1所述的装置，其中每个栅电极具有恒定宽度。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述通栅和上拉晶体管是平面晶体管，而所述下拉晶体管是三栅晶体管。

5.如权利要求1所述的装置，其中所述通栅晶体管是平面晶体管，而所述上拉和下拉晶体管是三栅晶体管。

6.如权利要求1所述的装置，还包括：

在所述衬底上形成的第三扩散，所述第三扩散包括将源极与漏极分开的沟道；

在所述衬底上形成的第四扩散，所述第四扩散其中包括一对沟道，每个沟道将源极与漏极分开；

在所述衬底上形成的第三栅电极，其中所述第三栅电极与所述第四扩散上的所述对沟道其中之一交叠以形成第二通栅晶体管；以及

在所述衬底上形成的第四栅电极，其中所述第四栅电极与所述第四扩散的所述对沟道中的另一个交叠以形成第二下拉晶体管，并与所述第三扩散的所述沟道交叠以形成第二上拉晶体管，并且其中所述第二通栅、下拉和上拉晶体管具有至少两种不同的构造，所述至少两种不同的构造包括平面晶体管和三栅晶体管。

7.如权利要求6所述的装置，其中所述第二通栅和第二上拉晶体管是平面晶体管，而所述第二下拉晶体管是三栅晶体管。

8.如权利要求6所述的装置，其中所述第二通栅晶体管是平面晶体管，而所述第二上拉和第二下拉晶体管是三栅晶体管。

9.如权利要求6所述的装置，其中所述第二栅电极耦合到所述第三扩散，而所述第四栅电极耦合到所述第二扩散。

10.一种用于在同一衬底上集成不同类型晶体管的工艺，包括：

在衬底上形成第一扩散，所述第一扩散包括一对沟道，每个所述沟道将源极与漏极分开；

在所述衬底上形成第二扩散，所述第二扩散包括将源极与漏极分开的沟道；

在所述衬底上形成第一栅电极，其中所述第一栅电极与所述第一扩散上的所述对沟道其中之一交叠以形成通栅晶体管；以及

在所述衬底上形成第二栅电极，其中所述第二栅电极与所述第一扩散的所述对沟道中的另一个交叠以形成下拉晶体管，并与所述第二扩散的所述沟道交叠以形成上拉晶体管，并且其中所述通栅、下拉和上拉晶体管具有至少两种不同的构造，所述至少两种不同的构造包括平面晶体管和三栅晶体管。

11.如权利要求10所述的工艺，其中每个扩散具有恒定宽度。

12.如权利要求10所述的工艺，其中每个栅电极具有恒定宽度。

13.如权利要求10所述的工艺，其中所述通栅和上拉晶体管是平面晶体管，而所述下拉晶体管是三栅晶体管。

14.如权利要求10所述的工艺，其中所述通栅晶体管是平面晶体管，而所述上拉和下拉晶体管是三栅晶体管。