[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680047653.9 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101331568A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 福泽英明;汤浅裕美;藤庆彦;岩崎仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01F41/30 | 分类号： | H01F41/30;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 丁利华 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁阻效应元件，通过下述方法制造：形成第一磁性层；在第一磁性层上形成的包括绝缘层和导电层的间隔层，该导电层穿过绝缘层并传导电流；和在形成的间隔层上形成的第二磁性层，该第二磁性层的全部或部分用离子、等离子体或加热来处理。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件的制造方法，包括：形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成包括绝缘层和导电层的间隔层，所述导电层透过绝缘层并传导电流；以及在形成的所述间隔层上形成第二磁性层，所述第二磁性层的全部或部分用离子、等离子体或加热来处理。
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