[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法

权利要求书

1.一种磁阻效应元件的制造方法，包括：

形成第一磁性层；

在所述第一磁性层上形成包括绝缘层和导电层的间隔层，所述导电层透过绝缘层并传导电流；以及

在形成的所述间隔层上形成第二磁性层，所述第二磁性层的全部或部分用离子、等离子体或加热来处理。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

形成所述第二磁性层的步骤包括：

沉积所述第二磁性层的材料；

以及用离子、等离子体或加热来处理至少一部分所述材料。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

包括的所述处理用离子或等离子体进行，所述离子或等离子体用30～150V的电压加速。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

包括的所述处理通过将处理层的温度设定为200～400℃的温度来加热进行。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

形成所述第二磁性层的步骤包括：

形成作为所述第二磁性层一部分的第一层；

用离子、等离子体或加热来处理所述第一层；

在所述第一层上形成作为所述第二磁性层一部分的第二层；以及

用离子、等离子体或加热来处理所述第二层；

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，

形成所述第二磁性层的步骤还包括：

在所述第二层上形成作为所述第二磁性层一部分的第三层；以及

用离子、等离子体或加热来处理所述形成的第三层；

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，

包括的各个所述第一层和所述第二层的厚度为0.5～3nm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

形成所述第二磁性层的步骤包括：沉积所述第二磁性层的材料，同时用离子、等离子体或加热进行处理。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，

包括的所述处理用等离子体进行，所述等离子体通过施加30～200V的偏压而产生。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，

包括的所述处理用等离子体进行，所述等离子体通过施加30～200W的功率而产生。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，

包括的所述处理通过将所述材料的温度设定为100～300℃的温度来加热进行。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二磁性层用包括Ar(氩)、Kr(氪)、Xe(氙)和Ne(氖)中任何一种的稀有气体的离子或等离子体处理。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一磁性层和所述第二磁性层中的一个是磁化方向基本固定为一个方向的磁化固定层，而另一个是磁化方向随外磁场变化的磁化自由层，并且电流沿所述第一磁性层和第二磁性层沉积的方向流过。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二磁性层包括CoFe层和NiFe层，并且对至少一部分NiFe层进行处理。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二磁性层包括具有bcc结构的FeCo层、或具有fcc结构的CoFe层，并且对至少一部分FeCo层或CoFe层进行处理。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

形成所述间隔层的步骤包括：

形成由第一金属材料构成的第一层；

在所述形成的第一层上形成由不同于所述第一金属材料的第二金属材料所构成的第二层；

用离子或等离子体处理所述形成的第二层的表面；以及

通过对所述第二层的表面进行氧化、氮化、或氮氧化处理，形成所述间隔层。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，

所述处理包括用离子或等离子体处理。