[发明专利]具有高的氮化硅对氧化硅移除速率比的抛光组合物及方法有效
| 申请号： | 200680046051.1 | 申请日： | 2006-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102046743A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·戴萨德;蒂莫西·约翰斯 | 申请（专利权）人： | 卡伯特微电子公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种含有阳离子研磨剂、阳离子聚合物、无机卤化物盐及含水载体的化学机械抛光组合物。本发明还提供一种用上述抛光组合物对基板进行化学机械抛光的方法。该抛光组合物显示出对氮化硅的移除优先于对氧化硅及多晶硅的移除的选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 氧化 速率 抛光 组合 方法 | ||
【主权项】：
一种适合用于抛光包含硅、氮化硅及二氧化硅的基板的化学机械抛光(CMP)组合物，该组合物包含：(a)阳离子研磨剂；(b)阳离子聚合物；(c)无机卤化物盐；及(d)含水载体；该组合物的pH为7或更小。
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