[发明专利]具有高的氮化硅对氧化硅移除速率比的抛光组合物及方法

权利要求书

1. 一种适合用于抛光包含硅、氮化硅及二氧化硅的基板的化学机械抛光(CMP)组合物，该组合物包含：

(a)阳离子研磨剂；

(b)阳离子聚合物；

(c)无机卤化物盐；及

(d)含水载体；

该组合物的pH为7或更小。

2. 权利要求1的组合物，其中该阳离子研磨剂选自氧化铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化铈及掺杂二氧化硅。

3. 权利要求1的组合物，其中该阳离子研磨剂为二氧化铈。

4. 权利要求1的组合物，其中该阳离子聚合物选自阳离子均聚物、包含至少一种阳离子单体及至少一种非离子单体的阳离子共聚物、及其组合。

5. 权利要求1的组合物，其中该阳离子聚合物为聚卤化二烯丙基二甲铵。

6. 权利要求1的组合物，其中该无机卤化物盐为氯化铵。

7. 权利要求1的组合物，其中该阳离子研磨剂以0.01重量％至5重量％的量存在于该组合物中。

8. 权利要求1的组合物，其中该阳离子聚合物以0.1至500ppm的量存在于该组合物中。

9. 权利要求1的组合物，其中该无机卤化物盐以100至1000ppm的量存在于该组合物中。

10. 权利要求1的组合物，其中该组合物具有4至7的pH。

11. 权利要求1的组合物，其中该组合物还包含氨基羧酸。

12. 一种适合用于抛光包含硅、氮化硅及二氧化硅的基板的化学机械抛光组合物，该组合物包含：

(a)0.01重量％至1重量％的二氧化铈；

(b)1至20ppm的聚卤化二烯丙基二甲铵；

(c)100至1000ppm的氯化铵；及

(d)含水载体；

该组合物具有4至7的pH。

13. 权利要求12的组合物，其中该组合物还包含氨基羧酸。

14. 一种用于抛光基板的化学机械抛光(CMP)方法，该方法包括以下步骤：

(a)使基板的表面与抛光垫及pH为7或更小的CMP组合物接触，该CMP组合物包含阳离子研磨剂、阳离子聚合物、无机卤化物盐、含水载体；

(b)使该抛光垫与该基板之间发生相对运动以磨除该表面的至少一部分，其中该抛光垫与该基板之间具有一部分该CMP组合物。

15. 权利要求14的方法，其中该阳离子研磨剂选自氧化铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化铈及掺杂二氧化硅。

16. 权利要求14的方法，其中该阳离子聚合物选自阳离子均聚物、包含至少一种阳离子单体及至少一种非离子单体的阳离子共聚物、及其组合。

17. 权利要求14的方法，其中该阳离子研磨剂以0.01重量％至5重量％的量存在于该组合物中。

18. 权利要求14的方法，其中该阳离子聚合物以0.1至500ppm的量存在于该组合物中。

19. 权利要求14的方法，其中该无机卤化物盐以100至1000ppm的量存在于该组合物中。

20. 权利要求14的方法，其中该CMP组合物还包含氨基羧酸。

21. 一种用于在存在二氧化硅时选择性地磨除氮化硅的化学机械抛光(CMP)方法，该方法包括以下步骤：

(a)使包含氮化硅及二氧化硅的基板的表面与抛光垫及pH为7或更小的CMP组合物接触，该CMP组合物包含阳离子研磨剂、阳离子聚合物、无机卤化物盐、含水载体；

(b)使该抛光垫与该基板之间发生相对运动而以从该表面磨除二氧化硅的速率的6至60倍的移除速率从该表面磨除氮化硅，其中该抛光垫与该基板之间具有一部分该CMP组合物。

22. 权利要求21的方法，其中该组合物还包含氨基羧酸。