[发明专利]信息记录介质及其制造方法

摘要

本发明提供一种不含S元素的电介质材料，并提供一种即使在反射层和电介质层之间不设置界面层、仍能得到高信号品质且记录灵敏度及重写特性优良的信息记录介质。为此，在本申请中，信息记录介质至少具备记录层，所述记录层因照射激光束或者施加电流而发生相变，其具备包含In元素、元素M1、氧元素(O)、元素M2、氟元素(F)的氧化物－氟化物电介质层，其中，M1为选自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一种元素，M2为选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一种元素。

主权项

1、一种信息记录介质，至少具备记录层，所述记录层通过照射激光束或者施加电流而发生相变，所述信息记录介质具备氧化物-氟化物电介质层，该氧化物-氟化物电介质层包含：In元素、元素M1、氧元素(O)、元素M2、氟元素(F)，其中，M1为选自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一种元素，M2为选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一种元素。