[发明专利]信息记录介质及其制造方法

权利要求书

1、一种信息记录介质，至少具备记录层，所述记录层通过照射激光束或者施加电流而发生相变，

所述信息记录介质具备氧化物-氟化物电介质层，该氧化物-氟化物电介质层包含：In元素、元素M1、氧元素(O)、元素M2、氟元素(F)，其中，M1为选自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一种元素，M2为选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一种元素。

2、如权利要求1所述的信息记录介质，其中，

至少具备两个信息层，

其中至少一个信息层至少具有所述记录层和所述氧化物-氟化物电介质层。

3、如权利要求1或2所述的信息记录介质，其中，

所述氧化物-氟化物电介质层用式In_aMl_bO_cM2_dF_100-a-b-c-d(原子％)表示，满足3≤a≤38、3≤b≤38、10≤c≤60、1≤d≤35及a+b+c+d＜100。

4、如权利要求1或2所述的信息记录介质，其中，

所述氧化物-氟化物电介质层包含：选自所述元素M1的元素M3、选自所述元素M2的元素M4，其中，M3为选自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一种元素，M4为选自La、Ce、Pr及Nd的至少一种元素。

5、如权利要求4所述的信息记录介质，其中，

所述氧化物-氟化物电介质层用式In_eM3_fO_gM4_hF_100-e-f-g-h(原子％)表示，满足3≤e≤38、3≤f≤38、10≤g≤60、1≤h≤35及e+f+g+h＜100。

6、如权利要求1或2所述的信息记录介质，其中，所述氧化物-氟化物电介质层包含：In元素的氧化物、氧化物D1、氟化物D2，其中，D1为由选自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一种元素构成的氧化物，D2为由选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一种元素构成的氟化物。

7、如权利要求6所述的信息记录介质，其中，

所述氧化物-氟化物电介质层用式(In₂O₃)_j(D1)_k(D2)_100-j-k(mol％)表示，满足20≤j≤85、20≤k≤85及j+k＜100。

8、如权利要求1或2所述的信息记录介质，其中，所述氧化物-氟化物电介质层包含：选自所述氧化物D1的氧化物D3、选自所述氟化物D2的氟化物D4，其中，D3为由选自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一种元素构成的氧化物，D4为由选自La、Ce、Pr及Nd的至少一种元素构成的氟化物。

9、如权利要求8所述的信息记录介质，其中，

所述氧化物-氟化物电介质层用式(In₂O₃)_m(D3)_n(D4)_100-m-n(mol％)表示，满足20≤m≤85、20≤n≤85及m+n＜100。

10、如权利要求8所述的信息记录介质，其中，

所述氧化物-氟化物电介质层用式(In₂O₃)_m(D3)_n(D4)_100-m-n(mol％)表示，满足25≤m≤65、20≤n≤60及m+n＜100。

11、如权利要求1所述的信息记录介质，其中，

依次具备反射层、第二电介质层、所述记录层及第一电介质层，

所述第一电介质层及所述第二电介质层的至少一个为所述氧化物-氟化物电介质层。

12、如权利要求1所述的信息记录介质，其中，

依次具备反射层、第二电介质层、所述记录层及第一电介质层，

所述第二电介质层为所述氧化物-氟化物电介质层。