[发明专利]硅锗氢化物以及制造和使用其的方法无效
| 申请号: | 200680043750.0 | 申请日: | 2006-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN101384506A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
| 发明(设计)人: | J·库韦塔基斯;C·J·里特三世 | 申请(专利权)人: | 亚利桑那董事会;代表亚利桑那州立大学行事的法人团体 |
| 主分类号: | C01B6/06 | 分类号: | C01B6/06;H01L21/205 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李 帆 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明提供了硅锗氢化物化合物,它们的合成方法,它们的沉积方法和使用所述化合物制成的半导体结构。所述化合物由下式限定:SiHn1(GeHn2)y,其中y是2、3或4,其中n1是0、1、2或3以满足化合价,且其中对于该化合物中的每个Ge原子,n2独立地为0、1、2或3以满足化合价。 | ||
| 搜索关键词: | 氢化物 以及 制造 使用 方法 | ||
【主权项】:
1. 式I的化合物SiHn1(GeHn2)y,其中y是2、3或4;其中n1是0、1、2或3以满足化合价;且其中对于该化合物中的每个Ge原子,n2独立地为0、1、2或3以满足化合价。
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