[发明专利]硅锗氢化物以及制造和使用其的方法

权利要求书

1.式I的化合物

SiH_n1(GeH_n2)_y，

其中y是2、3或4；

其中n1是0、1、2或3以满足化合价；且

其中对于该化合物中的每个Ge原子，n2独立地为0、1、2或3以满足化合价。

2.权利要求1的化合物，其中n1是2或3。

3.权利要求1的化合物，其中对于该化合物中的至少一个Ge原子，如果y是3这时n2是2。

4.权利要求1的化合物，其中如果y为3，这时n1是1或2。

5.权利要求1或2的化合物，其中y为2。

6.权利要求1-4任一项的化合物，其中y为3。

7.权利要求1-4任一项的化合物，其中y为4。

8.权利要求1-7任一项的化合物，其中硅锗氢化物列于表1中。

9.权利要求1的化合物，其中硅锗氢化物是GeH3-SiH2-GeH2-GeH3。

10.组合物，其包含根据权利要求1-8任一项的两种或更多种化合物。

11.半导体结构，包含:

衬底；和

Si-Ge层，所述Si-Ge层是通过在衬底表面附近引入包含权利要求1-10任一项的化合物或组合物的气态前体形成的。

12.半导体结构，包含:

衬底；和

Si-Ge层，其包含权利要求1-10任一项的一种或多种化合物或者组合物的主链。

13.权利要求11或12的半导体衬底，其中所述衬底包括硅。

14.权利要求11-13任一项的半导体衬底，其中所述衬底包括硅Si(100)。

15.权利要求11-14任一项的半导体衬底，其中所述气态前体包含表1所列化合物中的一种或多种。

16.权利要求11-15任一项的半导体衬底，其中所述SiGe层包含厚度小于1微米的SiGe膜。

17.权利要求11-16任一项的半导体衬底，其中所述SiGe层包含厚度为50nm至500nm的SiGe膜。

18.权利要求11-17任一项的半导体衬底，其中所述SiGe层包含螺线缺陷密度为10⁶/cm²或更小的SiGe膜。

19.权利要求11-18任一项的半导体衬底，其中所述SiGe层包含具有基本上原子级平坦表面形貌的SiGe膜。

20.权利要求11-19任一项的半导体衬底，其中所述气态前体包含GeH₃-SiH₂-GeH₂-GeH₃。

21.权利要求11-20任一项的半导体衬底，其中所述半导体衬底还包含掺杂剂。

22.权利要求11-21任一项的半导体衬底，其中所述半导体衬底还包含碳和/或锡。

23.权利要求1-9任一项的化合物的合成方法，包含:

将选自九氟代丁烷-磺酸基取代乙硅烷和三氟甲磺酸基取代乙硅烷的化合物与包含GeH₃配位体的化合物在一定条件下结合，由此形成根据权利要求1-9任一项的化合物。

24.权利要求23的方法，其中所述包含GeH₃配位体的化合物选自KGeH₃、NaGeH₃。

25.权利要求24的方法，其中该方法包括将包含GeH₃配位体的化合物与九氟代丁烷-磺酸基取代乙硅烷结合，其中该九氟代丁烷-磺酸基取代乙硅烷包含(SO₃C₄F₉)₂(SiH₂)₂。