[发明专利]低电阻率的封装基板及其制造方法有效
申请号: | 200680042966.5 | 申请日: | 2006-12-12 |
公开(公告)号: | CN101310384A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | O·J·贝希尔;M·托亚马;B·S·萨哈;E·A·纳西尔;C·K·古鲁默西 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H05K3/24 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种方法,包括在封装基板的焊盘接触部(210)上形成涂层,所述涂层包括设置在第一层(230)和第二层(250)之间的第一材料(240),所述第一层和所述第二层中的每一层由包括金的第二材料制成。一种包括封装基板的装置,所述封装基板包括多个焊盘接触部,其中,所述多个焊盘接触部中的每一个包括涂层,所述涂层包括设置在第一层和第二层之间的第一材料,所述第一层和所述第二层中的每一层由包括金的第二材料制成。 | ||
搜索关键词: | 电阻率 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种方法,包括:在封装基板的焊盘接触部上形成涂层,所述涂层包括设置在第一层和第二层之间的第一材料,所述第一层和所述第二层中的每一层由包括金的第二材料制成。
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