[发明专利]铟类纳米线、氧化物纳米线与导电性氧化物纳米线以及它们的制造方法有效
| 申请号： | 200680041857.1 | 申请日： | 2006-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101304829A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 行延雅也 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;B22F9/30;B82B1/00;B82B3/00;H01B5/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种简便而廉价地制造铟类纳米线及导电性氧化物纳米线的制造方法以及所得的铟类纳米线及导电性氧化物纳米线，所述铟类纳米线及导电性氧化物纳米线适用于各种透明导电膜的导电填料和纳米配线等，平均粗细在500nm以下，具有平均长度对平均粗细之比(长径比)在30以上的线形状。本发明涉及的铟类纳米线的制造方法，其特征在于，使以上述铟的低卤化物作为主成分的粒子在非水类溶剂中发生岐化反应，得到以金属铟作为主成分的纳米线。本发明的导电性氧化物纳米线，可对进一步掺杂了掺杂金属的上述铟类纳米线进行加热氧化处理，或在由上述铟类纳米线得到的氧化铟纳米线中掺杂掺杂金属的氧化物而得到。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 氧化物 导电性 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铟类纳米线，该铟类纳米线是以金属铟作为主成分的纳米线，其特征在于，该纳米线的平均粗细在500nm以下。
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