[发明专利]铟类纳米线、氧化物纳米线与导电性氧化物纳米线以及它们的制造方法有效
| 申请号: | 200680041857.1 | 申请日: | 2006-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN101304829A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
| 发明(设计)人: | 行延雅也 | 申请(专利权)人: | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号: | B22F1/00 | 分类号: | B22F1/00;B22F9/30;B82B1/00;B82B3/00;H01B5/00;H01B13/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李帆 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 氧化物 导电性 以及 它们 制造 方法 | ||
1.一种铟类纳米线,该铟类纳米线是以金属铟作为主成分,还 含有锡、锌、锆、钛、锗、钨、铝的任一种以上的掺杂金属的纳米线, 其特征在于,该纳米线的平均粗细在500nm以下。
2.一种铟类纳米线,该铟类纳米线是以金属铟作为主成分,还 含有锡、锌、锆、钛、锗、钨、铝的任一种以上的掺杂金属的纳米线, 其特征在于,该纳米线的平均长度对该纳米线的平均粗细之比,即长 径比在30以上。
3.一种铟类纳米线,该铟类纳米线是以金属铟作为主成分,还 含有锡、锌、锆、钛、锗、钨、铝的任一种以上的掺杂金属的纳米线, 其特征在于,该纳米线的平均粗细在500nm以下,并且,该纳米线的 平均长度对该纳米线的平均粗细之比,即长径比在30以上。
4.按照权利要求1~3任一项所述的铟类纳米线,其特征在于, 上述掺杂金属的含量,相对于金属铟1摩尔,掺杂金属为0.2摩尔以 下。
5.一种氧化物纳米线,其特征在于,将铟类纳米线在含氧及/ 或臭氧的气氛中进行加热氧化处理而得到,所述铟类纳米线以金属铟 作为主成分,该纳米线的平均粗细在500nm以下,而且/或者该纳米线 的平均长度对该纳米线的平均粗细之比,即长径比在30以上。
6.一种导电性氧化物纳米线,其特征在于,把权利要求1~3 任一项所述的以金属铟作为主成分、还含有掺杂金属的铟类纳米线在 含氧及/或臭氧的气氛中进行加热氧化处理而得到。
7.按照权利要求6所述的导电性氧化物纳米线,其特征在于, 上述导电性氧化物纳米线以铟锡氧化物作为主成分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友金属矿山株式会社,未经住友金属矿山株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680041857.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:依博素及其质量控制方法
- 下一篇:依博素在制备镇痛的药物中的用途





