[发明专利]高电流半导体装置中低电阻低电感互连的制造方法

摘要

本发明提供一种制造用于高电流半导体倒装芯片产品的低电阻低电感装置的方法。生产一结构，其包括具有金属化迹线(102)的半导体芯片(101)、与所述迹线接触的铜线，和铜凸块，所述铜凸块以有序且重复的布置位于每一线上，使得一条线的所述凸块定位在相邻线的相应凸块之间的中间位置附近。提供具有细长铜引线的衬底，所述引线具有第一和第二表面，所述引线与所述线成直角定向。使用焊接元件将每一引线的所述第一表面连接到交替线的所述相应凸块。最后，将组装件封装在模制化合物中，使得所述第二引线表面保持未经封装。

主权项

1.一种用于制造用于高电流半导体倒装芯片产品的低电阻低电感互连结构的方法，其包括以下步骤：提供半导体晶片，所述半导体晶片具有金属化迹线、由覆层保护的晶片表面，和所述覆层中用以暴露所述金属化迹线的若干部分的窗；在所述覆层上形成铜线，通过用金属填充所述窗来接触所述迹线；将光可成像绝缘材料层沉积在所述线和剩余的晶片表面上；在所述绝缘材料中打开窗以暴露所述线的若干部分，在每一线上以有序且重复的布置选择所述窗的位置，使得一条线的所述窗定位在相邻线的相应窗之间的中间位置附近；以及在所述窗中形成与所述线接触的铜凸块。