[发明专利]高电流半导体装置中低电阻低电感互连的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造用于半导体倒装芯片产品的互连结构的方法，其包括以下步骤：

提供半导体晶片，所述半导体晶片具有金属化迹线、由覆层保护的晶片表面，和所述覆层中用以暴露所述金属化迹线的若干部分的窗；

在所述覆层上形成铜线，通过用金属填充所述窗来接触所述迹线；

将光可成像绝缘材料层沉积在所述铜线和剩余的晶片表面上；

在所述绝缘材料中打开窗以暴露所述铜线的若干部分，在每一线上以有序且重复的布置选择所述窗的位置，使得一条线的所述窗定位在相邻线的相应窗之间的中间位置附近；以及

在所述窗中形成与所述线接触的铜凸块；

其中所述形成铜线的步骤包括以下步骤：

将势垒金属层沉积在所述晶片表面上；

将种子金属层沉积在所述势垒金属层上；

将第一光致抗蚀剂层以与既定铜线的高度相称的高度沉积在所述种子金属层上；

在所述光致抗蚀剂层中打开窗，使得所述窗按照所述既定铜线成形；

沉积铜以填充所述光致抗蚀剂窗且形成铜线；

移除所述第一光致抗蚀剂层；以及

移除所述种子金属层和所述势垒金属层的若干部分，所述若干部分在移除所述第一光致抗蚀剂层后暴露。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成铜凸块的步骤包括以下步骤：

将势垒金属层沉积在所述晶片表面上；

将种子金属层沉积在所述势垒金属层上；

将第二光致抗蚀剂层以与既定铜凸块的高度相称的高度沉积在所述种子金属层上；

在所述光致抗蚀剂层中既定用于铜凸块的位置中打开窗，且所述窗的宽度与所述既定铜凸块的宽度相称；

通过沉积铜来填充所述光致抗蚀剂窗以形成铜凸块；

移除所述第二光致抗蚀剂层；以及

移除所述种子金属层和所述势垒金属层的若干部分，所述若干部分在移除所述第二光致抗蚀剂层后暴露。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述沉积铜的步骤包括电镀技术。

4.一种用于制造用于半导体倒装芯片产品的互连装置的方法，其包括以下步骤：

提供一结构，所述结构包括半导体芯片，所述半导体芯片具有金属化迹线、与所述迹线接触的铜线，和铜凸块，所述铜凸块以有序且重复的布置位于每一线上，使得一条线的所述凸块定位在相邻线的相应凸块之间的中间位置附近；

提供具有细长铜引线的衬底，所述引线具有第一和第二表面，所述引线与所述线成直角定向；

使用焊接元件将每一引线的所述第一表面连接到交替线的相应凸块；以及将组装件封装在模制化合物中，使得所述第二表面保持未经封装。

5.一种用于制造用于半导体倒装芯片装置的互连系统的方法，其包括以下步骤：提供低电阻低电感互连装置，所述互连装置包括：

半导体芯片结构，其包含与芯片金属化迹线接触的铜线和以有序且重复的布置位于每一线上的铜凸块，一条线的所述凸块定位在相邻线的相应凸块之间的中间位置附近；

具有细长铜引线的衬底，所述引线具有第一和第二表面，所述引线与所述线成直角，所述第一表面通过焊接元件而连接到交替线的所述相应凸块；以及

所述芯片结构和衬底经封装，使得所述第二表面保持未经封装；

提供具有平行于所述引线的铜接触衬垫的电路板；以及

使用焊接层将所述装置引线的所述第二表面附接到所述铜接触衬垫。