[发明专利]处理基底的方法有效
| 申请号： | 200680040014.X | 申请日： | 2006-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101296876A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | N·纳多;S·罗什;U·施密特;M·洛尔根 | 申请（专利权）人： | 法国圣－戈班玻璃公司 |
| 主分类号： | C03C23/00 | 分类号： | C03C23/00;C03C17/34;C03C17/36;C03C17/38 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种表面处理方法，其用于处理位于基底和薄膜多层的层B之间的至少一层A的至少一个表面部分，所述多层的各层真空沉积在具有玻璃功能的基底上，根据本发明，所述方法特征在于：－将至少一层薄层A沉积在所述基底的表面部分上，该沉积阶段通过真空沉积方法来进行；－利用至少一个线性离子源，从气体或气体混合物中产生电离物种的等离子体；－使层A的至少一个表面部分经受所述等离子体的处理，使得所述电离物物至少部分地改变层A的表面状态；和－将至少一层B沉积在层A的表面部分上，该沉积阶段通过真空沉积方法来进行。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 基底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面处理方法，其用于处理位于基底和薄膜多层的层B之间的至少一层A的至少一个表面部分，所述多层的各层真空沉积在具有玻璃功能的基底上，根据本发明，所述方法特征在于：-将至少一层薄层A沉积在所述基底的表面部分上，该沉积阶段通过真空沉积方法来进行；-利用至少一个线性离子源，从气体或气体混合物中产生电离物种的等离子体；-使层A的至少一个表面部分经受所述等离子体的处理，使得所述电离物种至少部分地改变层A的表面状态；和-将至少一层B沉积在层A的表面部分上，该沉积阶段通过真空沉积方法来进行。
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