[发明专利]处理基底的方法

权利要求书

1.一种表面处理方法，其用于处理位于基底和薄膜多层的层B之间的 至少一层A的至少一个表面部分，所述多层的各层真空沉积在由玻璃或塑 料制成的基底上，所述方法特征在于：

-将至少一层薄层A沉积在所述基底的表面部分上，该沉积阶段通过 真空沉积方法来进行；

-利用至少一个线性离子源，从气体或气体混合物中产生电离物种的 等离子体；

-使层A的至少一个表面部分经受所述等离子体的处理，使得所述电 离物种至少部分地改变层A的表面状态；和

-将至少一层B沉积在层A的表面部分上，该沉积阶段通过真空沉积 方法来进行，其中改变层A的所述表面部分使得沉积在层A上的层B的 结晶和/或晶粒形态也被改变。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述层A包括数层 重叠层A_i，并且至少一层A_i(i为1-n，且n≥1)经受所述等离子体处理。

3.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述表面处理 通过接连排列的一个或多个线性离子源来进行。

4.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于利用向上和向下 溅射技术来进行。

5.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，将所述线性离 子源与用于沉积层A的真空沉积装置置于相同的区室中。

6.根据权利要求1-4之一所述的表面处理方法，其特征在于，将所 述线性离子源与用于沉积层A的真空沉积装置置于两个隔离的区室中。

7.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，将所述线性离 子源以与基底平面成30°-90°的角度放置。

8.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述沉积方法 由溅射方法构成。

9.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述真空沉积 方法由基于PECVD的方法构成。

10.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，使用基于惰 性气体、氧气或氮气的气体等离子体。

11.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述线性离 子源产生能量为0.05-2.5keV的准直离子束。

12.通过实施权利要求1-11之一所述的方法得到的基底，其特征在 于，所述基底提供有多层涂层，所述涂层对于热辐射具有高反射性，并且 由至少一个顺序排列的至少5层连续层构成，所述连续层即为：

-基于选自氧化锡和氧化钛的金属氧化物的第一层；

-沉积在第一层上的、基于氧化锌的金属氧化物层；

-银层；

-沉积在银层上的、选自镍铬、钛、铌和锆的金属层；和

-沉积在金属层上的上层，其包括选自氧化锡、氧化锌和氧化钛的金 属氧化物或半导体。

13.通过实施权利要求1-11之一所述的方法得到的基底，其特征在 于，所述基底提供由薄膜多层，所述薄膜多层包括交替的n层功能层B和 (n+1)层涂层A，使得每层功能层B都处于两层涂层A之间，其中n≥ 1，所述功能层B对于红外和/或阳光辐射具有反射性能，其是基于银，所 述涂层A包括一层或多层重叠的电介质层，其是基于氮化硅、或硅铝混合 物、或氧氮化硅、或氧化锌，所述多层还包括吸收可见光的层，其是基于 钛、镍铬或锆，这些层任选被氮化并且位于功能层之上和/或之下。