[发明专利]用于在已安装的衬底上形成焊接触点的方法无效
| 申请号： | 200680039817.3 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101356634A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 拉克希米·N·拉马纳坦;特里·K·达利;贾森·R·芬德 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种方法，用于形成半导体组件。利用低温粘合剂将具有第一厚度的半导体衬底(20)安装在半导体衬底(28)上。将所述半导体衬底从第一厚度减薄到第二厚度。在半导体衬底上形成至少一个触点结构(50)，并且将高能电磁辐射(56)指引到所述至少一个触点结构上以回流该至少一个触点结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 安装 衬底 形成 焊接 触点 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成微电子组件的方法，包括：用低温粘合剂将具有第一厚度的半导体衬底安装到支撑衬底；将所述半导体衬底从所述第一厚度减薄到第二厚度；在所述半导体衬底上形成至少一个触点结构；以及将高能电磁辐射指引到所述至少一个触点结构上以回流所述至少一个触点结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
