[发明专利]用于在已安装的衬底上形成焊接触点的方法

权利要求书

1.一种用于形成微电子组件的方法，包括：

用低温粘合剂将具有第一厚度的半导体衬底安装到支撑衬底；

将所述半导体衬底从所述第一厚度减薄到第二厚度；

在所述半导体衬底上形成至少一个触点结构；以及

将高能电磁辐射指引到所述至少一个触点结构上以回流所述至少 一个触点结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述粘合剂具有160℃以下的 软化温度。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述粘合剂是有机粘合剂。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述半导体衬底包括在其正面 上形成的多个微电子器件。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包括：

在所述半导体衬底的背面上形成多个触点结构；以及

从该衬底的正面上的微电子器件中的至少一个到所述半导体衬底 的背面形成多条导线，所述触点结构中的每个都电连接到所述导线中 的相应的一条。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述高能电磁辐射是激光。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述多个触点结构是具有220℃ 以上的熔融温度的焊料凸点。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述半导体衬底的所述第二厚 度小于100微米。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述半导体衬底包括砷化镓、 氮化镓和硅中的至少一种，并且所述支撑衬底包括蓝宝石和石英中的 至少一种。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包括将所述半导体衬底从 所述支撑衬底拆除。

11.一种用于形成微电子组件的方法，包括：

用具有160℃以下的软化温度的低温粘合剂将具有第一厚度的半 导体衬底安装到支撑衬底；

将所述半导体衬底从所述第一厚度减薄到第二厚度，所述第二厚 度小于100微米；

在所述半导体衬底上形成多个焊料凸点，所述焊料凸点具有220℃ 以上的熔融温度；以及

将高能电磁辐射指引到所述触点结构中的至少一个上持续一段时 间，所述一段时间足以将所述触点结构中的所述至少一个的温度提高 到220℃以上并将所述低温粘合剂的至少一部分的温度维持在160℃以 下。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述高能电磁辐射是激光。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述一段时间少于0.5秒。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述半导体衬底包括在其 正面上形成的多个微电子器件，并且进一步包括从半导体衬底的正面 上的微电子器件到半导体衬底的背面形成多条导线、在半导体的背面 上形成多个焊料凸点以及所述焊料凸点中的每个都电连接到所述导线 中的相应的一条上。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述半导体衬底包括砷化 镓、氮化镓和硅中的至少一种，并且所述支撑衬底包括蓝宝石和石英 中的至少一种。