[发明专利]具有嵌入式浮动栅极的快闪存储器

摘要

本发明提供一种快闪存储器装置，其中所述快闪存储器的浮动栅极由嵌入式存取装置所界定。嵌入式存取装置的使用使得在装置密度损失较小的情况下获得较长的沟道长度。所述浮动栅极还可在衬底上方升高选定量以获得所述衬底、所述浮动栅极和包括快闪单元的控制栅极之间所需的耦合。

主权项

1.一种存储器装置，其包括：衬底，其具有第一表面；两个源极/漏极区域，其耦合到所述衬底且邻近所述第一表面；至少一个嵌入式存取栅极，其经形成以延伸到所述衬底中且插入所述两个源极/漏极区域之间，其中所述至少一个嵌入式存取栅极界定所述两个源极/漏极区域之间的导电沟道，所述导电沟道从所述衬底中的所述第一表面嵌入，且其中所述至少一个嵌入式存取栅极装置具有紧接所述衬底的所述第一表面的上表面，其中所述至少一个嵌入式存取装置界定至少一个具有上表面的浮动栅极结构；至少一个控制栅极结构，其形成于所述至少一个浮动栅极结构的所述上表面上，其中形成所述至少一个控制栅极结构和所述至少一个浮动栅极结构，以便允许电荷选择性地存储在所述至少一个浮动栅极结构中或从所述至少一个浮动栅极结构移除，以选择性地改变所述导电沟道的状态，从而提供所述存储器装置的存储器状态的指示。