[发明专利]半导体装置的制造方法及其制造装置无效
| 申请号： | 200680038241.9 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101288162A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 中川隆史 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置制造方法包括：利用含有Si的第1原料气体及含有金属元素M的第2原料气体、氧化处理气体向被处理基板上提供氧化处理气体的第1工序；提供第1原料气体的第2工序；在依次实施上述工序后，提供第2原料气体或第1原料气体和第2原料气体的混合气体的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括以下方法：利用含有Si的第1原料气体及含有金属元素M的第2原料气体、氧化处理气体，在作为构成元素至少含有Si的被处理基板上，将作为构成要素含有金属元素M和Si的金属氧化物成膜，该半导体装置的制造方法的特征在于，在上述被处理基板上依次实施以下工序：提供上述氧化处理气体的第1工序；提供上述第1原料气体的第2工序；提供含有上述第2原料气体的气体的第3工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
