[发明专利]半导体装置的制造方法及其制造装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括以下方法：利用含有Si的第1原料气体及含有金属元素M的第2原料气体、氧化处理气体，在作为构成元素至少含有Si的被处理基板上，将作为构成要素含有金属元素M和Si的金属氧化物成膜，该半导体装置的制造方法的特征在于，

在上述被处理基板上依次实施以下工序：提供上述氧化处理气体的第1工序；提供上述第1原料气体的第2工序；提供含有上述第2原料气体的气体的第3工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，作为上述第3工序，提供上述第2原料气体或上述第2原料气体和上述第1原料气体的混合气体。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，接着上述第3工序实施向上述被处理基板上提供上述氧化处理气体的第4工序，进一步将上述第2工序到上述第4工序实施一个或多个循环。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，接着上述第3工序实施向上述被处理基板上提供上述氧化处理气体的第4工序，进一步将上述第3工序到上述第4工序执行一个或多个循环。

5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，接着上述第3工序实施向上述被处理基板上提供上述氧化处理气体的第4工序，进一步将提供上述第1原料气体的第5工序、提供上述氧化处理气体的第6工序、提供上述第2原料气体或上述第1原料气体和上述第2原料气体的混合气体的第7工序、提供上述氧化处理气体的第8工序的四个工序执行一个或多个循环。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，作为上述第3工序，同时提供上述第2原料气体和上述氧化处理气体、或同时提供上述第1原料气体和上述第2原料气体的混合气体及上述氧化处理气体，将上述第1到第3工序实施一个或多个循环。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述金属元素M的附着工序中的上述金属元素M的附着密度为1E14atoms/cm²以下。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在上述第1原料气体的提供工序中，通过调节上述第1原料气体的供给量控制接着该工序的上述金属元素M的附着工序中的上述金属元素M的附着密度。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在上述第1原料气体的提供工序中，通过调节上述第1原料气体的分压控制接着工序的上述金属元素M的附着工序中的上述金属元素M的附着密度。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述第1原料气体提供工序中的上述第1原料气体的分压为1E^-4Torr(0.0133Pa)以上。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述第1原料气体、上述第2原料气体或上述氧化处理气体与选自N₂、Ar、He构成的群的气体一并被提供。

12.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述金属元素M是选自Hf、Zr、Al、La、Pr、Y、Ti、Ta及W构成的群的元素。

13.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述第1原料气体及上述第2原料气体的构成元素中不含有氧。

14.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述第1原料气体是选自Si[(CH₃)₂N]₄、Si[(CH₃)₂N]₃H、Si[(C₂H₅)₂N]₃H、Si[(CH₃)₂N]₂H₂构成的群的气体。