[发明专利]一种大面积有机二级管器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200680035924.9 申请日: 2006-09-20
公开(公告)号: CN101326655A 公开(公告)日: 2008-12-17
发明(设计)人: E·W·A·扬;H·利夫卡 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/32;H01L51/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 龚海军;谭祐祥
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种有机二极管器件(1),包括具有阳极层(12),阴极层(13)和有机层(14)的有机二极管结构(2)。阳极层(12)和阴极层(13)其中之一具有分布在所述结构(2)的面(15)上的一组接触区域(19,20)。阻挡层(16)气密性地覆盖所述结构(2)并被提供与所述的一组接触区域(19,20)对准的一组开口(23,24)。金属导体(5)被电镀在所述阻挡层(16)上并通过该组开口(23,24)与该组接触区域(19,20)接触。一种形成这种器件的方法包括形成结构(2),形成带有该组开口(23,24)的阻挡层(16),使所述结构(2)经受电镀工艺以形成金属导体(5)。
搜索关键词: 一种 大面积 有机 二级 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种有机二极管器件,包括:具有阳极层(12)、阴极层(13)以及位于阳极层(12)和阴极层(13)之间的至少一有机层(14)的有机二极管结构(2),阳极层(12)和阴极层(13)其中之一具有分布在所述结构(2)的第一表面(15)上的第一组接触区域(19,20),阻挡层(16),位于所述第一表面(15)上以气密性地覆盖所述结构(2),所述阻挡层(16)具有与所述第一组接触区域(19,20)对准的第一组开口(23,24),以及至少一个第一金属导体(5),被电镀在所述阻挡层(16)上并通过所述阻挡层(16)中的所述第一组开口(23,24)与所述第一组接触区域(19,20)接触。
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