[发明专利]一种大面积有机二级管器件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机二极管器件，包括：

具有阳极层(12)、阴极层(13)以及位于阳极层(12)和阴极层(13)之间 的至少一个有机层(14)的有机二极管结构(2)，所述阳极层(12)具有分布在 所述结构(2)的第一表面(15)上的第一组接触区域(19，20)，所述阴极层(13) 具有分布在所述结构(2)所述第一表面(15)上的第二组接触区域(22)，

单一阻挡层(16)，位于所述第一表面(15)上以气密性地覆盖所述结构 (2)，所述阻挡层(16)具有与所述第一组接触区域(19，20)对准的第一组开口 (23，24)，和与所述第二组接触区域(22)对准的第二组开口(25)，以及

在所述阻挡层(16)上的至少一个第一电镀金属导体(5)，通过所述 阻挡层(16)中的所述第一组开口(23，24)与所述第一组接触区域(19，20)接 触，以及在所述阻挡层(16)上的至少一个第二电镀金属导体(8)，通 过所述阻挡层(16)中的所述第二组开口(25)与所述第二组接触区域 (22)接触，所述第一和所述第二金属导体(5，8)互相隔离。

2.根据权利要求1所述的有机二极管器件，其中所述至少一个第一 金属导体(5)在所述第一表面(15)上形成网格。

3.根据权利要求1-2任一项所述的有机二极管器件，其中所述至少 一个第一金属导体(5)有0.5-100μm的厚度(T)。

4.根据权利要求1-2任一项所述的有机二极管器件，其中电镀基层 (27)沉积在所述阻挡层(16)上，以在每一所述第一组接触区域(19，20)和所 述至少一个第一金属导体(5)之间形成接触片(26)。

5.一种形成有机二极管器件的方法，包括步骤：

通过在阳极层(12)和阴极层(13)之间提供至少一个有机层(14)形成有 机二极管结构(2)，所述阳极层(12)具有分布在所述结构(2)的第一表面(15) 上的第一组接触区域(19，20)，所述阴极层(13)具有分布在所述结构(2) 的所述第一表面(15)上的第二组接触区域(22)，

在形成了所述阳极层(12)和所述阴极层(13)之后，在所述第一表面 (15)上形成单一阻挡层(16)以气密性地覆盖所述结构(2)，所述阻挡层(16) 具有与所述第一组接触区域(19，20)对准的第一组开口(23，24)，和与所述 第二组接触区域(22)对准的第二组开口(25)，以及

使被所述阻挡层(16)覆盖的所述结构(2)经受电镀工艺，其中所述阳 极层(12)和阴极层(13)被连接至电镀槽(34)中的终端(33)之一，以便导电金 属被电镀在第一组接触区域(19，20)上，从而在所述第一表面(15)上形成至 少第一金属导体(5)，以及被电镀在第二组接触区域(22)上以在所述第 一表面(15)处在所述阻挡层(16)上形成至少第二金属导体(8)，所述第 一和所述第二金属导体(5，8)互相隔离。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括步骤：在使所述结构(2) 经受电镀工艺之前，提供一层隔离体(28)以覆盖所述第一表面(15)上不希 望电镀的那些区域。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括步骤：所述使所述结构 (2)经受电镀工艺的步骤之后去除所述隔离层(28)。

8.根据权利要求5-7任一项所述的方法，进一步包括步骤：在形成 所述阻挡层(16)的步骤和使所述结构(2)经受电镀工艺的步骤之间，为改 善所述第一组接触区域(19，20)和电镀槽(34)中的电解液之间的电接触，在 所述阻挡层(16)顶部沉积一层导电材料的电镀基层(27)。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括步骤：在所述使所述结 构(2)经受电镀工艺的步骤之后，去除电镀基层(27)未被所述至少一第一 金属导体(5)覆盖的那些部分的至少一部分。

10.根据权利要求8所述的方法，其中沉积电镀基层的步骤包括沉 积电镀基层作为结构化层。