[发明专利]高频调制的表面发射的半导体激光器无效
| 申请号： | 200680035757.8 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101273503A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 米夏埃尔·屈内尔特;约瑟普·马里克;托马斯·施瓦茨;乌尔里希·施特格米尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/14;H01S5/04;H01S5/06;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李德山;李春晖 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种表面发射的半导体激光器具有：半导体芯片(1)；第一谐振器反射装置(4)和至少一个另外的谐振器反射装置(8)，其中该另外的谐振器反射装置设置在半导体芯片(1)外部，并且与第一谐振器反射装置(4)一同构建具有谐振器长度L的激光谐振器；以及泵浦激光器(10)，其为了半导体激光器(1)的光泵浦而将泵浦辐射(14)以一个泵浦功率射入半导体芯片(1)中。在该表面发射的半导体激光器中，泵浦功率被以调制频率fP进行调制，并且谐振器长度L与调制频率fP匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 调制 表面 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种表面发射的半导体激光器，其具有：半导体芯片(1)；第一谐振器反射装置(4)和至少一个另外的谐振器反射装置(8)，其中该另外的谐振器反射装置设置在半导体芯片(1)外部，并且与第一谐振器反射装置(4)一同构建具有谐振器长度L的激光谐振器；以及至少一个泵浦激光器(10，12)，其为了半导体激光器(1)的光泵浦而将泵浦辐射(14)以一个泵浦功率射入半导体芯片(1)中，其特征在于，泵浦功率被以调制频率fP进行调制，并且激光谐振器具有谐振器长度L，该谐振器长度L与调制频率fP匹配。
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