[发明专利]高频调制的表面发射的半导体激光器

权利要求书

1.一种表面发射的半导体激光器，其具有：

半导体芯片(1)；

第一谐振器反射装置(4)和至少一个另外的谐振器反射装置(8)，其中该另外的谐振器反射装置设置在半导体芯片(1)外部，并且与第一谐振器反射装置(4)一同构建具有谐振器长度L的激光谐振器；以及

至少一个泵浦激光器(10，12)，其为了半导体激光器(1)的光泵浦而将泵浦辐射(14)以一个泵浦功率射入半导体芯片(1)中，

其特征在于，泵浦功率被以调制频率f_P进行调制，并且激光谐振器具有谐振器长度L，该谐振器长度L与调制频率f_P匹配。

2.根据权利要求1所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，对于谐振器长度L，适用：L[mm]≤250/f_P[MHz]。

3.根据权利要求1或2所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，对于调制频率f_P，适用：f_P≥1MHz。

4.根据权利要求1或2所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，对于调制频率f_P，适用：f_P≥10MHz。

5.根据权利要求1或2所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，对于调制频率f_P，适用：f_P≥50MHz。

6.根据上述权利要求中的任一项所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，谐振器长度L为30mm或者更小，优选为20mm或者更小。

7.根据上述权利要求中的任一项所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，泵浦功率通过电流I的调制而被调制，其中泵浦激光器(10，12)借助该电流被驱动。

8.根据上述权利要求中的任一项所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，泵浦功率被调制为：使得在被调制的运行期间泵浦激光器(10，12)的激光器阈值未被低于。

9.根据上述权利要求中的任一项所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，在被调制的运行期间表面发射的半导体激光器的激光器阈值未被低于。

10.根据上述权利要求中的任一项所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，泵浦激光器(12)被单片集成到表面发射的半导体激光器的半导体芯片(1)中。

11.根据权利要求1至9中的任一项所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，泵浦激光器(10)设置在半导体芯片(1)之外。

12.根据上述权利要求中的任一项所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，在激光谐振器中设置了频率转换元件(9)，用于将半导体激光器所发射的辐射进行频率转换。

13.根据权利要求12所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，频率转换是频率倍增，特别是频率加倍。

14.根据权利要求12或13所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，半导体芯片(1)发射红外辐射，该辐射被频率转换元件(9)转换为可见光，特别是转换为绿色可见光。

15.根据上述权利要求中的任一项所述的表面发射的半导体激光器，其特征在于，表面发射的半导体激光器的光输出功率为10mW或者更大。