[发明专利]半导体压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200680035358.1 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101273255A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 出尾晋一;田口元久;山下彰;吉田幸久 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;H01L29/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体压力传感器，包括：硅支撑衬底(1)、在硅支撑衬底(1)上形成的绝缘层(2)和在绝缘层(2)上形成的硅薄板(3)。在硅支撑衬底(1)中形成沿硅支撑衬底(1)的厚度方向延伸的通孔(1a)。位于通孔(1a)的延长线上的硅薄板(3)用作通过外部压力变形的膜片(23)。绝缘层(2)残留在膜片(23)的整个下表面上。绝缘层(2)的厚度从膜片(23)的外缘部分向中心部分减小。这提供能够同时减小偏移电压和由温度变化导致的输出电压的变化量的半导体压力传感器及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体压力传感器，包括：具有沿厚度方向延伸的通孔(1a)的半导体支撑衬底(1)；位于所述半导体支撑衬底(1)上的半导体薄板(3)；和保持在所述半导体支撑衬底(1)和所述半导体薄板(3)之间、在面对所述通孔(1a)的位置上具有凹槽(2a)而使得所述凹槽(2a)的位置上的厚度从外缘部分向中心部分减小的绝缘层(2)。
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