[发明专利]半导体压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200680035358.1 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101273255A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 出尾晋一;田口元久;山下彰;吉田幸久 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;H01L29/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体压力传感器，包括：
具有沿厚度方向延伸的通孔(1a)的半导体支撑衬底(1)；
位于所述半导体支撑衬底(1)上的半导体薄板(3)；和
保持在所述半导体支撑衬底(1)和所述半导体薄板(3)之间、在面对所述通孔(1a)的位置上具有凹槽(2a)而使得所述凹槽(2a)的位置上的厚度从外缘部分向中心部分减小的绝缘层(2)。
2.根据权利要求1的半导体压力传感器，其中，
用Tmax代表所述绝缘层(2)的厚度的最大值，Tmin代表所述绝缘层(2)的厚度的最小值时，假定A代表所述绝缘层(2)的厚度为Tmax的区域的端部和所述绝缘层(2)的厚度达到(Tmax+Tmin)÷2的位置之间的距离，那么A÷Tmax至少为5。
3.根据权利要求2的半导体压力传感器，其中，所述绝缘层(2)的厚度的最大值Tmax不大于2μm。
4.根据权利要求1的半导体压力传感器，其中，所述凹槽(2a)的外缘部分位于所述通孔(1a)的外缘部分的外面。
5.一种半导体压力传感器的制造方法，包括以下步骤：
制备包含半导体支撑衬底(1)、在所述半导体支撑衬底(1)上设置的绝缘层(2)和在所述绝缘层(2)上形成的半导体薄板(3)的中间结构；
在所述半导体支撑衬底(1)中形成沿厚度方向延伸的通孔(1a)；和
在所述绝缘层(2)中形成凹槽(2a)使得在面对所述通孔(1a)的位置上的所述绝缘层(2)的厚度从外缘部分向中心部分减小。
6.根据权利要求5的半导体压力传感器的制造方法，其中，
通过干蚀刻所述绝缘层(2)形成所述凹槽(2a)。
7.根据权利要求5的半导体压力传感器的制造方法，其中，
在所述绝缘层(2)中形成所述凹槽(2a)的步骤中，所述凹槽(2a)的外缘部分位于所述通孔(1a)的外缘部分的外面。
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