[发明专利]致密山形鳍状场效应晶体管以及其制造方法无效
| 申请号： | 200680034288.8 | 申请日： | 2006-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101836280A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | J·拜因特内尔;T·路德维希;E·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成finFET的方法、结构和对准过程。所述方法包括：利用第一掩模限定finFET的第一鳍状物，以及利用第二掩模限定finFET的第二鳍状物。所述结构包括一体化的单晶半导体材料的第一和第二鳍状物，并且第一和第二鳍状物的纵轴以相同晶向对准但彼此偏移。所述对准过程包括同时将栅极掩模上的对准标记与对准目标对准，所述对准目标通过用于限定第一鳍状物的第一掩模和用于限定第二鳍状物的第二掩模分离地形成。 | ||
| 搜索关键词： | 致密 山形 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供衬底，所述衬底具有形成于体衬底的顶部表面上的绝缘层以及形成在所述绝缘层的顶部表面上的单晶半导体层；将第二光掩模上的第二鳍状物图案与第一光掩模上的第一鳍状物图案对准，所述第一鳍状物图案具有第一和第二末端，所述第二鳍状物图案具有第一和第二末端；在所述半导体层中形成第一finFET的鳍状物，所述第一finFET的鳍状物通过所述第一鳍状物图案限定；以及在所述半导体层中形成第二finFET的鳍状物，所述第二finFET的鳍状物通过所述第二鳍状物图案限定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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