[发明专利]致密山形鳍状场效应晶体管以及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供衬底，所述衬底具有形成于体衬底的顶部表面上的绝缘层以及形成在所述绝缘层的顶部表面上的单晶半导体层；

将第二光掩模上的第二鳍状物图案与第一光掩模上的第一鳍状物图案对准，所述第一鳍状物图案具有第一和第二末端，所述第二鳍状物图案具有第一和第二末端；

在所述半导体层中形成第一finFET的鳍状物，所述第一finFET的鳍状物通过所述第一鳍状物图案限定；以及

在所述半导体层中形成第二finFET的鳍状物，所述第二finFET的鳍状物通过所述第二鳍状物图案限定。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使所述第二鳍状物图案的第一端部与所述第一鳍状物图案的第二端部交叠。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单晶半导体层的晶面大致垂直于所述单晶半导体层的顶部表面，所述第一鳍状物的纵轴以及所述第二鳍状物的纵轴大致平行于所述晶面和所述单晶半导体层的顶部表面而对准。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一鳍状物的纵轴和所述第二鳍状物的纵轴在大致垂直于所述晶面的方向上偏移。

5.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：

在所述第一鳍状物之上形成第一栅极和在所述第二鳍状物之上形成第二栅极，所述第一栅极的纵轴与所述第一鳍状物的纵轴不正交，所述第二栅极的纵轴与所述第二鳍状物的纵轴不正交，所述第一栅极的纵轴大致平行于所述第二栅极的纵轴。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一鳍状物的所述形成和所述第二鳍状物的所述形成包括对所述半导体层的同一刻蚀。

7.根据权利要求6所述的方法，所述刻蚀包括：

由所述半导体层形成块，所述块与所述第一和第二鳍状物一体化，所述块由第三光掩模上的块图案来限定，所述块图案在所述第二鳍状物图案的第一端部与所述第一鳍状物图案的第二端部交叠处对准。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述半导体层之上形成芯层；

在所述芯层中形成芯，所述芯由所述第一鳍状物图案和所述第二鳍状物图案来限定；

在所述芯的侧壁上形成隔离物；

去除所述芯；

刻蚀所述半导体层，其中所述半导体层未受所述隔离物保护或者未受硬掩模层中的图案保护，所述硬掩模层形成在所述芯层的顶部表面上，所述硬掩模层中的图案由所述隔离物来限定。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述刻蚀之前去除所述隔离物中的小于整个的部分。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述衬底上形成光致抗蚀剂层；

利用所述第一光掩模来曝光所述光致抗蚀剂层；

利用所述第二光掩模来曝光所述光致抗蚀剂层；以及

使所述光致抗蚀剂层显影。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述衬底上形成第一光致抗蚀剂层；

利用所述第一光掩模来曝光所述第一光致抗蚀剂层；

使所述第一光致抗蚀剂层显影；

在使所述第一光致抗蚀剂层显影之后，在所述第一光致抗蚀剂层之上形成第二光致抗蚀剂层；

利用所述第二光掩模来曝光所述第二光致抗蚀剂层；以及

使所述第二光致抗蚀剂层显影。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

使第三光掩模与所述衬底上由所述第一和所述第二光掩模限定的对准目标对准，所述第三光掩模限定了所述第一finFET的第一栅极和所述第二finFET的第二栅极。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述单晶半导体层是硅，所述半导体层的顶部表面位于(100)面，所述第一鳍状物的纵轴和所述第二鳍状物的纵轴大致平行于所述半导体层的{100}面以及所述半导体表面的顶部表面而对准。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：

在所述第一鳍状物之上形成第一栅极和在所述第二鳍状物之上形成第二栅极，所述第一栅极的纵轴从所述第一鳍状物的纵轴逆时针旋转大约67.5°，所述第二栅极的纵轴从所述第二鳍状物的纵轴顺时针旋转大约67.5°，所述第一栅极的纵轴大致平行于所述第二栅极的纵轴。