[发明专利]用来在不存在氮化硅的条件下进行硅的KOH蚀刻的负性光刻胶有效
| 申请号： | 200680032665.4 | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101258444A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | X·钟;C·李;J·K·马尔霍特拉 | 申请（专利权）人： | 布鲁尔科技公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于制备半导体和MEMS器件的新颖的光刻胶。所述底涂层优选包含溶解或分散在溶剂体系中的硅烷。所述光刻胶层包含由苯乙烯、丙烯腈和含环氧的单体制备的共聚物。所述光刻胶层包含光致酸生成剂，优选是负性作用的。 | ||
| 搜索关键词： | 用来 不存在 氮化 条件下 进行 koh 蚀刻 光刻 | ||
【主权项】：
1.一种可用作保护层的光敏组合物，所述组合物包含溶解或分散在溶剂体系中的聚合物和光致酸生成剂，所述聚合物包含：![]()
以及(III)包含至少一个环氧基团的单体，在(I)和(II)中：各R1独立地选自氢和C1-C8烷基；各R2独立地选自氢、C1-C8烷基和C1-C8烷氧基。
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