[发明专利]用来在不存在氮化硅的条件下进行硅的KOH蚀刻的负性光刻胶

权利要求书

1.一种可用作保护层的光敏组合物，所述组合物包含溶解或分散在溶剂体系中的聚合物和光致酸生成剂，所述聚合物包含：

以及

(III)包含至少一个环氧基团的单体，

在(I)和(II)中：

各R¹独立地选自氢和C₁-C₈烷基；

各R²独立地选自氢、C₁-C₈烷基和C₁-C₈烷氧基。

2.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述单体(III)选自甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水甘油酯、以及乙烯基苄基缩水甘油基醚单体。

3.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述单体(III)具有以下结构式

式中，各R¹独立地选自氢和C₁-C₈烷基。

4.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述光致酸生成剂选自：六氟锑酸三芳基锍、六氟磷酸三芳基锍、六氟锑酸二芳基碘鎓、六氟磷酸二芳基碘鎓、

式中，各R³独立地选自：C₃H₇、C₈H₁₇、CH₃C₆H₄和樟脑。

5.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述聚合物包含约35-75重量％的(I)、约20-40重量％的(II)、以及约5-15重量％的(III)，以所述聚合物的总重量为100重量％计。

6.一种形成微电子结构的方法，所述方法包括：

提供微电子基片；

在所述基片上施涂底涂层，所述底涂层包含分散或溶解在溶剂体系中的硅烷；

对所述底涂层施涂光敏层，所述光敏层包含分散或溶解在溶剂体系中的光致酸生成剂和聚合物，所述聚合物包含：

以及

(III)包含至少一个环氧基团的单体，

在(I)和(II)中：

各R¹独立地选自氢和C₁-C₈烷基；

各R²独立地选自氢、C₁-C₈烷基和C₁-C₈烷氧基。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述单体(III)选自甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水甘油酯、以及乙烯基苄基缩水甘油基醚单体。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述单体(III)具有以下结构式

式中，各R¹独立地选自氢和C₁-C₈烷基。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述光致酸生成剂选自：六氟锑酸三芳基锍、六氟磷酸三芳基锍、六氟锑酸二芳基碘鎓、六氟磷酸二芳基碘鎓、

式中，各R³独立地选自：C₃H₇、C₈H₁₇、CH₃C₆H₄和樟脑。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述聚合物包含约35-75重量％的(I)、约20-40重量％的(II)、以及约5-15重量％的(III)，以所述聚合物的总重量为100重量％计。