[发明专利]带有经粗化的高折射率表面层以便进行高度光提取的发光二极管有效

专利信息
申请号: 200680030998.3 申请日: 2006-06-26
公开(公告)号: CN101248537A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: S·P·迪巴尔司;J·艾贝森;中村修二 申请(专利权)人: 美商克立股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沈昭坤
地址: 美国北卡*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种发光二极管(LED)包括:一p型材料层(12);一n型材料层(14);及一活性层(16),其位于该p型层与该n型层之间。一经粗化的透明材料层(18)位于该p型材料层(12)及该n型材料层(14)这两者之一的附近。该经粗化的透明材料层(18)具有与邻近该透明材料层之材料的折射率相近或大体相同的折射率,且可以是透明氧化物材料或透明导电材料。一额外导电材料层(68,88)可位于该经粗化的层与该n型层或该p型层之间。
搜索关键词: 带有 经粗化 折射率 表面 以便 进行 高度 提取 发光二极管
【主权项】:
1.一种发光二极管(LED),其包含:一p型材料层;一n型材料层;一活性层,其位于该p型层与该n型层之间;及一经粗化的透明材料层,其邻近该p型材料层及该n型材料层之一。
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