[发明专利]带有经粗化的高折射率表面层以便进行高度光提取的发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管(LED)，其包含：

一p型材料层；

一n型材料层；

一活性层，其位于该p型层与该n型层之间；及

一经粗化的透明材料层，其邻近该p型材料层及该n型材料层之一。

2.如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述经粗化的透明材料层具有一与邻近该透明材料层的材料的折射率大体相同的折射率。

3.如权利要求2所述的LED，其特征在于，所述透明材料具有一在邻近该透明材料的材料的折射率的±.3范围内的折射率。

4.如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述透明材料包含ZnO、ZnS、MgO、In₂O₃、CdS、TiO₂、PbO、ZnSnO及氧化铟锡(ITO)中的至少一种。

5.如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述透明材料包含一透明氧化物材料。

6.如权利要求5所述的LED，其特征在于，所述透明氧化物材料包含ZnO、MgO、In₂O₃、TiO₂、PbO、ZnSnO、NiO及氧化铟锡(ITO)中的至少一种。

7.如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述透明材料包含一透明导电材料。

8.如权利要求7所述的LED，其特征在于，所述透明导电材料包含一透明导电氧化物。

9.如权利要求8所述的LED，其特征在于，所述透明氧化物材料包含ZnO、In₂O₃及氧化铟锡(ITO)中的至少一种。

10.一种发光二极管(LED)，其包含：

一p型材料层；

一n型材料层；

一活性层，其位于该p型层与该n型层之间；

一透明导电材料层，其邻近该p型材料层及该n型材料层之一；及

一经粗化的透明材料层，其邻近该透明导电层。

11.如权利要求10所述的LED，其特征在于，所述透明材料包含一不同于该透明导电材料的材料。

12.如权利要求11所述的LED，其特征在于，所述透明材料比所述透明导电材料更透明。

13.如权利要求10所述的LED，其特征在于，所述透明导电材料包含一透明导电氧化物。

14.如权利要求10所述的LED，其特征在于，所述透明导电材料具有一与邻近该透明导电层的p型材料或n型材料的折射率大体相同的折射率。

15.如权利要求10所述的LED，其特征在于，邻近该透明导电层的透明材料具有一与邻近该透明导电层的p型材料或n型材料的折射率大体相同的折射率。

16.一种发光二极管(LED)，其包含：

一p型材料层；

一n型材料层；

一活性层，其位于该p型层与该n型层之间；

一金属导电材料层，其邻近该p型材料层及该n型材料层之一；及

一经粗化的透明材料层，其邻近该金属材料层。

17.如权利要求16所述的LED，其特征在于，所述经粗化的透明材料层具有一与邻近该金属导电材料层的材料的折射率大体相同的折射率。

18.如权利要求17所述的LED，其特征在于，所述透明材料具有一在邻近该金属导电材料层的材料的折射率的±.3范围内的折射率。

19.一种形成一发光二极管的方法，其包含：

生长一基础LED结构，所述基础LED结构包含一p型材料层、一n型材料层及一位于该p型层与该n型层之间的活性层；

邻近该p型材料层及该n型材料层之一沉积一透明材料层；及

粗化该透明材料层。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述生长与沉积是使用相同技术完成的。

21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述技术包含有机金属化学气相沉积(MOCVD)。