[发明专利]半导体纳米线晶体管

摘要

在带隙比Si窄的半导体材料中实现了一种纳米线缠绕栅晶体管。纳米线中的应力弛豫使得晶体管可以置于许多不同基板上并将异质结构结合到器件内。各种类型的异质结构应被引入晶体管以通过减小的碰撞电离率而降低输出电导，增大电流导通/截止比，降低亚阈值斜率，降低晶体管接触电阻，以及改善热稳定性。应通过使用半绝缘基板以及在源极和漏极接入区域之间利用交错几何来最小化寄生电容。该晶体管可以应用于数字高频和低功率电路以及模拟高频电路。

主权项

1.一种缠绕绝缘栅场效应晶体管，包括：具有第一带隙的材料的纳米线(205)，形成所述晶体管的电流通道；源极接触(240)，布置在所述纳米线一端；漏极接触(250)，布置在所述纳米线的相对端；缠绕栅极接触(260)，包围介于所述源极接触和所述漏极接触之间的所述纳米线的部分，并限定栅极区域(206)，所述晶体管的特征在于：所述纳米线包括至少一个异质结构(270)，所述异质结构具有至少一段第二带隙的材料，所述第二带隙不同于所述第一带隙，且所述至少一个异质结构与所述源极接触(240)、漏极接触(240)或栅极接触(260)之一连接。