[发明专利]氮化镓基化合物半导体发光器件有效
| 申请号： | 200680028774.9 | 申请日： | 2006-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101238594A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 龟井宏二 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是提供一种具有正电极的氮化镓基化合物半导体发光器件，所述正电极包括设置在p型半导体层上的第一电极以及覆盖所述第一正电极的侧面和上面的覆盖层，所述覆盖层不会从所述p型半导体层剥落。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上依次形成的氮化镓基化合物半导体的n型半导体层、发光层和p型半导体层，负电极和正电极设置为分别与所述n型半导体层和所述p型半导体层接触，其中所述正电极包括至少第一电极以及覆盖所述第一电极的侧面和上面的覆盖层，并且沿所述第一电极的外边缘的每单位长度，在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积大于在其边部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基化合物半导体发光器件，包括在衬底上依次形成的氮化镓基化合物半导体的n型半导体层、发光层和p型半导体层，负电极和正电极设置为分别与所述n型半导体层和所述p型半导体层接触，其中所述正电极包括至少第一电极以及覆盖所述第一电极的侧面和上面的覆盖层，并且沿所述第一电极外边缘的每单位长度，在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积大于在其边部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积。
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