[发明专利]氮化镓基化合物半导体发光器件有效
申请号: | 200680028774.9 | 申请日: | 2006-07-27 |
公开(公告)号: | CN101238594A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 龟井宏二 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;李峥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 化合物 半导体 发光 器件 | ||
1.一种氮化镓基化合物半导体发光器件,包括在衬底上依次形成的氮化镓基化合物半导体的n型半导体层、发光层和p型半导体层,负电极和正电极设置为分别与所述n型半导体层和所述p型半导体层接触,其中所述正电极包括至少第一电极以及覆盖所述第一电极的侧面和上面的覆盖层,并且沿所述第一电极外边缘的每单位长度,在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积大于在其边部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积。
2.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件,其中当由A表示在边部分上在所述第一电极的侧面与所述覆盖层的侧面之间的间隔时,在拐角部分处在所述第一电极的侧面与所述覆盖层的侧面之间的间隔不小于21/2×A。
3.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件,其中将所述第一电极的或所述覆盖层的平面投影形状的拐角部分的角度选择为钝角,以便在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积变为大于在其边部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积。
4.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件,其中将所述第一电极的或所述覆盖层的平面投影形状的拐角部分形成为弓状,以便在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积变为大于在其边部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积。
5.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件,其中所述第一电极的侧面与所述覆盖层的侧面之间的间隔为0.1至50μm。
6.根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件,其中所述第一电极是反射性电极。
7.根据权利要求6的氮化镓基化合物半导体发光器件,其中所述第一电极是包含Ag或Al的反射性电极。
8.根据权利要求6的氮化镓基化合物半导体发光器件,其中所述覆盖层是选自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt和Au的至少一种金属或者包含这些金属中的至少一种的合金。
9.一种灯,包括根据权利要求1至8中任何一项的氮化镓基化合物半导体发光器件。
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