[发明专利]AlN晶体、用于生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底有效
| 申请号： | 200680027936.7 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101233265A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 水原奈保;宫永伦正;川濑智博;藤原伸介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供大直径跨距AlN晶体、生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底，该AlN晶体可应用到不同类型的半导体器件，具有良好的结晶度。该AlN晶体生长方法是这样的一种方法，其中通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿(12)内的晶体生长室(24)内部的籽晶衬底(2)上生长AlN晶体(4)，并且其特征在于：在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室(24)的内部。 | ||
| 搜索关键词： | aln 晶体 用于 生长 方法 以及 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿内的晶体生长室内部的籽晶衬底上生长AlN晶体的方法，该AlN晶体生长方法特征在于：在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室的内部。
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