[发明专利]AlN晶体、用于生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底有效
| 申请号： | 200680027936.7 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101233265A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 水原奈保;宫永伦正;川濑智博;藤原伸介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | aln 晶体 用于 生长 方法 以及 衬底 | ||
1.一种通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿内的晶体生长室内部的籽晶衬底上生长AlN晶体的方法，该AlN晶体生长方法特征在于：
在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室的内部。
2.根据权利要求1所述的AlN晶体生长方法，特征在于：该籽晶衬底是SiC籽晶衬底或AlN籽晶衬底。
3.根据权利要求1或2所述的AlN晶体生长方法，特征在于：在晶体生长期间含碳气体的分压力与反应腔内部气体的总压力的比大于等于2×10-5且小于等于0.9。
4.根据权利要求1至3的任一项所述的AlN晶体生长方法，特征在于：含碳气体是由碳和AlN源之间的反应产生的。
5.根据权利要求1至4的任一项所述的AlN晶体生长方法，其中用来制造含碳气体的碳的供应源是形成晶体生长器皿的石墨。
6.根据权利要求1至5的任一项所述的AlN晶体生长方法，其中含碳气体包括CO气体或CO2气体。
7.根据权利要求6所述的AlN晶体生长方法，特征在于：CO气体和CO2气体是由碳和金属氧化物之间的反应产生的。
8.根据权利要求1至3的任一项所述的AlN晶体生长方法，特征在于：含碳气体是从反应腔的外部提供的。
9.根据权利要求8所述的AlN晶体生长方法，其中含碳气体包括CO气体或CO2气体。
10.一种根据权利要求1至9的任一项所述的生长方法获得的AlN晶体，其中：
在整个晶体中碳原子浓度为大于等于1×1015atoms·cm-3且小于等于1×1020atoms·cm-3；且
该AlN晶体的直径为25.4mm或更大。
11.根据权利要求10所述的AlN晶体，其中直径为48.8mm或更大。
12.一种通过处理在权利要求10或11中所述的AlN晶体而获得的AlN晶体衬底。
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