[发明专利]在导电区域上包括盖层的衬底有效
| 申请号： | 200680026245.5 | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101558482A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 戴维·E·拉佐夫斯凯;桑德拉·G·马尔霍特拉;托马斯·R·布西耶;托尼·P·江 | 申请（专利权）人： | 分子间公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王昭林;崔 华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在电子器件的介电区域上形成掩膜层，使得随后在由介电区域分隔的电子器件的导电区域上形成盖层期间，掩膜层抑制在介电区域之上或之内形成盖层材料。可以选择性地或非选择性地在导电区域上形成盖层。接着可以除去在介电区域上形成的盖层材料，从而保证仅在导电区域上形成盖层材料。可以使用适当的处理来形成盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 区域 包括 盖层 衬底 | ||
【主权项】：
1、一种器件，包括：第一和第二导电区域；分隔所述第一和第二导电区域的介电区域；在至少部分介电区域上形成的至少部分掩膜层，其中在所述第一和第二导电区域上没有所述掩膜层；以及在至少第一和第二导电区域上形成的盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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