[发明专利]在导电区域上包括盖层的衬底

权利要求书

1.一种用于在衬底上产生盖层的方法，所述衬底具有暴露的导电区 域和介电区域，所述方法包括：

在所述介电区域上选择性形成掩膜层，所述掩膜层由分子自组装层 形成；以及

在形成所述掩膜层之后，在所述导电区域上形成所述盖层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：使用湿处理形成所述 掩膜层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述掩膜层包括有机 硅材料，其中所述掩膜层包括头基和端基。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述有机硅材料包括 通式为R_nSiX_4-n的一种或多种可水解取代物，其中R选自包括烷基、取 代烷基、芳基和取代芳基的组中，并且其中X选自包括卤基、烷氧基、 芳氧基或者氨基的组中。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述有机硅材料选自 包括有机硅烷、氯硅烷、烷氧基硅烷、乙氧基硅烷、甲氧基硅烷和羟基 硅烷的组中。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述掩膜层包括化学 上连接所述头基和端基的连接基。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：形成所述盖层包括在 所述导电区域上选择性形成所述盖层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：使用无电沉积来形成 所述盖层。

9.根据权利要求1所述的方法，包括：

在形成所述掩膜层和盖层之后，在所述导电区域和介电区域上形成 介电阻挡层。

10.根据权利要求1所述的方法，包括在形成所述盖层期间或之后， 除去所述掩膜层。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使所述掩膜层功能化， 以产生希望的属性，其中所述功能化是从包括化学处理、热处理、光化 学处理、以及热和光化学处理的组合的组中选出的处理。

12.一种器件，包括：

包括介电区域和导电区域的衬底；

在所述介电区域上选择性形成的至少一个掩模层，所述掩模层由分 子自组装层形成；以及

在所述导电区域上形成的盖层。

13.根据权利要求12所述的器件，其特征在于：所述衬底是从包括 硅衬底、绝缘体上硅衬底、碳化硅衬底、应变硅衬底、硅锗衬底和砷化 镓衬底的组中选出的。

14.根据权利要求12所述的器件，其特征在于：所述盖层是一种导 电材料，所述导电材料选自包括钴合金材料、镍合金材料、钨合金材料、 钽合金材料、氮化钽材料、钴和硼的合金、钴和钨以及磷材料的合金、 镍和钼以及磷的合金的组中。

15.根据权利要求12所述的器件，其特征在于：所述盖层包括电绝 缘材料。

16.根据权利要求12所述的器件，其特征在于：所述导电层是从包 括铜和铝的组中选出的。

17.根据权利要求12所述的器件，其特征在于：所述掩膜层包括选 自下组中的材料，所述组包括以下材料：聚合电解质材料、树枝状聚合 物材料、超支化聚合物材料、成块共聚物材料和有机硅材料。

18.根据权利要求12所述的器件，其特征在于：包括有机硅材料的 所述掩膜层包括头基和端基，并且其中所述掩膜层包括化学上连接所述 头基和端基的连接基。

19.根据权利要求12所述的器件，其特征在于：所述介电区域包括 选自多孔SiCOH介电材料、FSG材料和MSQ材料的材料。

20.根据权利要求19所述的器件，其特征在于：所述介电区域进一 步包括硬质掩膜，所述硬质掩膜由从SiC_x介电材料、SiN_y介电材料、 SiC_nN_m介电材料中选出的材料构成。