[发明专利]用于生长单晶金属的方法和装置有效
| 申请号： | 200680024342.0 | 申请日： | 2006-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN101213318A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | J·R·丘利克;E·M·塔尔夫 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯系统大学评议会 |
| 主分类号： | C22C45/00 | 分类号： | C22C45/00;C30B13/20;C30B28/02;C21D8/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘冬;林森 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了生长金属大单晶的方法。最初在非氧化性环境中将多晶态的金属样品加热。然后将最小塑性应变施加于加热的金属样品，以引发加热的金属样品内选择的晶粒生长。随后将另外的塑性应变施加于加热的金属样品，以使选择的晶粒蔓延生长，变成大单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 金属 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于生长大单晶金属的方法，所述方法包括：在非氧化性环境中加热多晶态的金属样品；将最小塑性应变施加于所述加热的金属样品，以引发所述加热的金属样品内选择的晶粒生长；和将另外的塑性应变施加于所述加热的金属样品，以使所述选择的晶粒蔓延生长，形成大单晶金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于得克萨斯系统大学评议会，未经得克萨斯系统大学评议会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680024342.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改变焊缝组织性能的形变热处理方法
- 下一篇：综合网络激活系统
