[发明专利]用于生长单晶金属的方法和装置有效
| 申请号： | 200680024342.0 | 申请日： | 2006-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN101213318A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | J·R·丘利克;E·M·塔尔夫 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯系统大学评议会 |
| 主分类号： | C22C45/00 | 分类号： | C22C45/00;C30B13/20;C30B28/02;C21D8/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘冬;林森 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 生长 金属 方法 装置 | ||
1.一种用于生长大单晶金属的方法，所述方法包括：
在非氧化性环境中加热多晶态的金属样品；
将最小塑性应变施加于所述加热的金属样品，以引发所述加热的金属样品内选择的晶粒生长；和
将另外的塑性应变施加于所述加热的金属样品，以使所述选择的晶粒蔓延生长，形成大单晶金属。
2.权利要求1的方法，其中所述金属样品为选自钼、钨、铌或钽的难熔金属。
3.权利要求1的方法，其中所述金属样品为含有合金添加剂的难熔金属。
4.权利要求1的方法，其中所述非氧化性环境为真空、惰性气体或还原性气氛。
5.权利要求1的方法，其中所述加热通过外部热源经辐射、传导或对流提供。
6.权利要求1的方法，其中所述加热通过红外线灯辐射加热、感应加热或将电流通过所述金属样品经直接电阻加热提供。
7.权利要求1的方法，其中所述金属样品在约0.55至0.8Tm之间加热，其中Tm为所述金属样品的熔融温度。
8.权利要求1的方法，其中所述塑性应变在张力、压力、剪切力或其组合下。
9.权利要求1的方法，其中所述选择的晶粒自然选自再结晶微结构、织构微结构或晶种。
10.权利要求1的方法，其中所述方法还包括为了以连续的方式产生所述金属样品的长单晶，在应变期间将所述金属样品通过加热区或将加热区沿着所述金属样品传递。
11.权利要求1的方法，其中所述金属样品为钼，且在1400℃℃至1800℃的温度下所述塑性应变大于4％。
12.一种用于生长大单晶金属的装置，所述装置包含：
用于在非氧化性环境中加热多晶态的金属样品的加热手段；和
机械装置，该装置用于将最小塑性应变施加于所述加热的金属样品，以引发所述加热的金属样品内选择的晶粒生长，并用于将另外的塑性应变施加于所述加热的金属样品，以使选择的晶粒蔓延生长，形成大单晶金属。
13.权利要求12的装置，其中所述金属样品为选自钼、钨、铌或钽的难熔金属。
14.权利要求12的装置，其中所述金属样品为含有合金添加剂的难熔金属。
15.权利要求12的装置，其中所述非氧化性环境为真空、惰性气体或还原性气氛。
16.权利要求12的装置，其中所述加热手段通过辐射、传导或对流向所述金属样品提供热量。
17.权利要求12的装置，其中所述加热手段为红外线灯。
18.权利要求12的装置，其中所述金属样品在约0.55至0.8Tm之间加热，其中Tm为所述金属样品的熔融温度。
19.权利要求12的装置，其中所述塑性应变在张力、压力、剪切力或其组合下。
20.权利要求12的装置，其中所述选择的晶粒自然选自再结晶微结构、织构微结构或晶种。
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