[发明专利]具有集成的去耦电容器的电容性RF－MEMS器件有效
| 申请号： | 200680024145.9 | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101213631A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 彼得·杰拉德·斯蒂内肯 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种包括垂直集成的去耦电容器(14)的电容性RF－MEMS。因此所述去耦电容器(14)不会占据额外的面积。另外，根据本发明的RF－MEMS需要更少的互连，这也节省了空间，并且减小了RF路径中的串联电感/阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 电容器 电容 rf mems 器件 | ||
【主权项】：
1.一种电容性RF-MEMS器件，包括：第一电极(11)，固定到位于平面中的衬底(12)上；以及第二电极(16)，悬挂在第一电极(11)上方，并且相对于衬底(11)可移动，其中，所述器件还包括驱动电极(14)，该驱动电极(14)沿与衬底(12)平面实质上垂直的方向集成在第一和第二电极(11、16)之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NXP股份有限公司，未经NXP股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680024145.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种实现IP头压缩的系统及方法
- 下一篇：一种现浇砼空心板用空腔模壳构件
