[发明专利]具有集成的去耦电容器的电容性RF－MEMS器件

权利要求书

1.一种电容性RF-MEMS器件，包括：第一电极(11)，固定到位于平面中的衬底(12)上；以及第二电极(16)，悬挂在第一电极(11)上方，并且相对于衬底(11)可移动，

其中，所述器件还包括驱动电极(14)，该驱动电极(14)沿与衬底(12)平面实质上垂直的方向集成在第一和第二电极(11、16)之间。

2.根据权利要求1所述的电容性RF-MEMS器件，其中所述驱动电极(14)掩埋在第一电介质层(13)和第二电介质层(15)之间，从而形成叠层(13、14、15)。

3.根据权利要求2所述的电容性RF-MEMS器件，其中所述叠层(13、14、15)位于第一电极(11)的顶部上。

4.根据权利要求3所述的电容性RF-MEMS器件，其中向驱动电极(14)施加DC电压(Vdc)，并且在第一电极(11)和第二电极(16)之间施加RF电压(Vrf)。

5.根据权利要求2所述的电容性RF-MEMS器件，所述第二电极(16)具有朝向第一电极(11)的底部(16a)，其中所述叠层(13、14、15)位于第二电极(16)的底部(16a)。

6.根据权利要求1所述的电容性RF-MEMS器件，其中所述第二电极(16)具有朝向第一电极(11)的底部(16a)，第一电介质层(13)位于第一电极(11)的顶部上，并且驱动电极(14)位于在第二电极(16)的底部(16a)设置的第二电介质层(15)的底部。

7.根据权利要求1所述的电容性RF-MEMS器件，其中所述第二电极(16)具有朝向第一电极的底部(16a)，驱动电极(14)位于在第一电极(11)的顶部上设置的第一电介质层(13)的顶部上，并且第二电介质层(15)位于第二电极(16)的底部(16a)。

8.根据权利要求1所述的电容性RF-MEMS器件，其中所述第一电极(11)具有第一面积，所述第二电极(16)具有第二面积，并且所述驱动电极(14)具有第三面积，所述第一、第二和第三面积沿与衬底(12)平面实质上平行的方向延伸，并且所述第一、第二和第三面积实质上相等。

9.根据权利要求1所述的电容性RF-MEMS器件，所述第一电极(11)具有第一面积，所述第二电极(16)具有第二面积，并且所述驱动电极(14)具有第三面积，所述第一、第二和第三面积沿与衬底(12)平面实质上平行的方向延伸，并且所述第一、第二和第三面积的至少一个与其他面积不同。

10.根据权利要求1所述的电容性RF-MEMS器件，其中所述第一电极(11)、驱动电极(14)和第二电极(16)由相同的材料形成。

11.根据权利要求10所述的电容性RF-MEMS器件，其中所述第一电极(11)、驱动电极(14)和第二电极(16)由铝或铝铜合金、铜或金形成。

12.一种制造电容性RF-MEMS器件(20)的方法，所述方法包括：

设置固定到位于平面中的衬底(12)上的第一电极(11)；

设置第二电极(16)，所述第二电极(16)相对于衬底(12)可移动；

设置驱动电极(14)，所述驱动电极(14)沿与衬底(12)平面实质上垂直的方向集成在第一和第二电极(11、16)之间。

13.根据权利要求12所述的方法，其中设置驱动电极(14)包括在第一电介质层(13)和第二电介质层(15)之间设置驱动电极(14)的叠层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中设置包括在第一电介质层(13)和第二电介质层(15)之间掩埋的继电器电极或驱动电极(14)的叠层(13、14、15)通过在第一电极(11)的顶部上设置叠层(13、14、15)来执行。

15.根据权利要求13所述的方法，所述第二电极(16)具有朝向第一电极(11)的底部(16a)，其中设置包括在第一电介质层(13)和第二电介质层(15)之间掩埋的继电器电极或驱动电极(14)的叠层(13、14、15)通过在第二电极(16)的底部设置叠层(13、14、15)来执行。