[发明专利]电场/磁场传感器及它们的制造方法有效
| 申请号： | 200680024139.3 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101213462A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 中田正文;岩波瑞树;大桥启之;增田则夫 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G01R29/08 | 分类号： | G01R29/08;G01R31/308 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电场/磁场传感器及它们的制造方法，通过气浮沉积法将法布里佩洛型谐振器结构的电气光学膜直接形成在光纤维的顶端部的研磨面而得到所述电场传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 磁场 传感器 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种物理量传感器，其特征在于，具有：光纤维；和物理光学层，直接形成在该光纤维的顶端，折射率根据物理量而发生变化。
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