[发明专利]电场/磁场传感器及它们的制造方法

权利要求书

1.一种物理量传感器，其特征在于，具有：

光纤维；和

物理光学层，直接形成在该光纤维的顶端，折射率根据物理量而发生变化。

2.一种物理量传感器的制造方法，其特征在于，

将折射率根据物理量而发生变化的物理光学层直接形成在光纤维的顶端。

3.一种电场传感器，其特征在于，具有：

光纤维；和

电气光学层，直接形成在该光纤维的顶端，折射率根据电场而发生变化。

4.如权利要求3所述的电场传感器，其特征在于，还具有形成在所述电气光学层的表面上的反射层。

5.一种电场传感器，其特征在于，具有：

光纤维；

第一反射层，直接形成在该光纤维的顶端；

电气光学层，直接形成在所述第一反射层上，折射率根据电场而发生变化；以及

第二反射层，直接形成在所述电气光学层上。

6.如权利要求3至5中任一项所述的电场传感器，其特征在于，

在所述电气光学层的直径d与所述光纤维的核心的直径dc及金属包层的直径dr之间，dc≤d≤dr的关系成立。

7.如权利要求3至5中任一项所述的电场传感器，其特征在于，所述电气光学层的厚度t为t≥1μm。

8.如权利要求3至5中任一项所述的电场传感器，其特征在于，所述电气光学层通过成膜法形成。

9.如权利要求8所述的电场传感器，其特征在于，所述电气光学层通过气浮沉积法成膜形成。

10.如权利要求3至5中任一项所述的电场传感器，其特征在于，

所述电气光学层的组成为锆钛酸铅、添加有镧的锆钛酸铅、钛酸钡、锶代钛酸钡、钽代铌酸钾中的某一个。

11.一种磁场传感器，其特征在于，具有：

光纤维；和

磁性光学层，直接形成在该光纤维的顶端，折射率根据磁场而发生变化。

12.如权利要求11所述的磁场传感器，其特征在于，还具有形成在所述磁性光学层的表面上的反射层。

13.一种磁场传感器，其特征在于，具有：

光纤维；

第一反射层，直接形成在该光纤维的顶端；

磁性光学层，直接形成在所述第一反射层上，折射率根据磁场而发生变化；以及

第二反射层，直接形成在所述磁性光学层上。

14.如权利要求11至13中任一项所述的磁场传感器，其特征在于，

在所述磁性光学层的直径d与所述光纤维的核心的直径dc及金属包层的直径dr之间，dc≤d≤dr的关系成立。

15.如权利要求11至14中任一项所述的磁场传感器，其特征在于，所述磁性光学层的厚度t为t≥1μm。

16.如权利要求11至13中任一项所述的磁场传感器，其特征在于，所述磁性光学层通过成膜法形成。

17.如权利要求16所述的磁场传感器，其特征在于，所述磁性光学层通过气浮沉积法成膜形成。

18.如权利要求11至13中任一项所述的磁场传感器，其特征在于，

所述磁性光学层为具有石榴石结构、尖晶石结构、磁铅石结构中某一种结构的铁氧体。

19.如权利要求11至13中任一项所述的磁场传感器，其特征在于，所述磁性光学层为包含铁、镍、钴中的某一个的强磁性膜。

20.一种电场传感器的制造方法，其特征在于，将折射率根据电场而发生变化的电气光学层直接形成在光纤维的顶端。

21.如权利要求20所述的电场传感器的制造方法，其特征在于，将反射层形成在所述电气光学层的表面。

22.一种电场传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

将第一反射层直接形成在光纤维的顶端；

将折射率根据电场而发生变化的电气光学层直接形成在所述第一反射层上；以及

将第二反射层直接形成在所述电气光学层上。