[发明专利]钨膜的形成方法、成膜装置、存储介质和半导体装置

摘要

本发明提供形成比现有技术中电阻率更小，在与基底的阻挡层的临界部分氟浓度更低，与阻挡层的密接性更高的钨膜的方法。具有向处理容器14内的晶片M供给含硅气体的工序、在该工序之后，通过交替重复进行供给含钨气体的含钨气体供给步骤与供给不含硅的氢化物气体的氢化物气体供给步骤，并在两步骤之间插入向所述处理容器内供给惰性气体的清扫步骤和/或将所述处理容器抽真空的抽真空步骤，形成第一钨膜的工序。

主权项

1.一种钨膜的形成方法，用于在构成为可抽真空的处理容器内在被处理体的表面上形成钨膜，其特征在于，包括：向所述被处理体供给含硅气体的工序；和在该工序之后，通过交替重复进行供给含钨气体的含钨气体供给步骤与供给不含硅的氢化物气体的氢化物气体供给步骤，并在两步骤之间插入向所述处理容器内供给惰性气体的清扫步骤和/或将所述处理容器抽真空的抽真空步骤，形成第一钨膜的工序。