[发明专利]钨膜的形成方法、成膜装置、存储介质和半导体装置

权利要求书

1.一种钨膜的形成方法，用于在构成为可抽真空的处理容器内在被处理体的表面上形成钨膜，其特征在于，包括：

向所述被处理体供给含硅气体的工序；和

在该工序之后，通过交替重复进行供给含钨气体的含钨气体供给步骤与供给不含硅的氢化物气体的氢化物气体供给步骤，并在两步骤之间插入向所述处理容器内供给惰性气体的清扫步骤和/或将所述处理容器抽真空的抽真空步骤，形成第一钨膜的工序。

2.根据权利要求1中所述的钨膜形成方法，其特征在于，还包括：

通过向所述第一钨膜上同时供给所述含钨气体和还原性气体，形成第二钨膜的工序。

3.根据权利要求2中所述的钨膜形成方法，其特征在于：

所述第一钨膜形成工序和所述第二钨膜形成工序在同一个处理容器内进行。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的钨膜形成方法，其特征在于：

所述含硅气体选自甲硅烷、乙硅烷、有机硅烷。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的钨膜形成方法，其特征在于：

所述不含硅的氢化物气体是乙硼烷或磷化氢。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的钨膜形成方法，其特征在于：

所述不含有硅的氢化物气体是用氢稀释的乙硼烷气体。

7.根据权利要求2～6中任一项所述的钨膜形成方法，其特征在于：

所述还原性气体是氢气。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的钨膜形成方法，其特征在于：

所述含钨气体是WF₆。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的钨膜形成方法，其特征在于：

在所述被处理体的表面形成含有TiN膜的阻挡层。

10.一种钨膜形成方法，其特征在于，包括：

在构成为可抽真空的处理容器内，向形成有接触孔的被处理体供给含硅气体的工序；

在该工序之后，通过交替重复进行供给含钨气体的含钨气体供给步骤与供给不含硅的氢化物气体的氢化物气体供给步骤，并在两步骤之间插入向所述处理容器内供给惰性气体的清扫步骤和/或将所述处理容器抽真空的抽真空步骤，形成第一钨膜的工序；

通过向所述第一钨膜上同时供给所述含钨气体和还原性气体，进一步形成第二钨膜并埋入所述接触孔的工序；和

在所述第二钨膜形成之后，通过对所述被处理体表面实施化学机械研磨处理形成接触插头的工序。

11.一种成膜装置，其特征在于，包括：

构成为可抽真空的处理容器；

设置在所述处理容器内用于装载被处理体的装载台；

用于加热所述被处理体的加热装置；

至少能够向所述处理容器内供给含硅氢气体、含钨气体、不含硅的氢化物气体的气体供给装置；以及

控制部，该控制部在被装载于装载台上的被处理体表面上形成钨膜时，实施通过所述气体供给装置向所述被处理体供给含硅气体的工序，和在该工序之后，通过交替重复进行通过所述气体供给装置供给含钨气体的含钨气体供给步骤与通过所述气体供给装置供给不含硅的氢化物气体的氢化物气体供给步骤，并在两步骤之间插入向所述处理容器内供给惰性气体的清扫步骤和/或将所述处理容器抽真空的抽真空步骤，形成第一钨膜的工序。

12.一种存储介质，其为存储有程序的计算机可读存储介质，该程序用于使计算机通过成膜装置对处理容器内的被处理体实施钨膜形成处理，其特征在于，该成膜装置包括：

构成为可抽真空的处理容器；

设置在所述处理容器内用于装载被处理体的装载台；

用于加热所述被处理体的加热装置；

至少能够向所述处理容器内供给含硅氢气体、含钨气体、不含硅的氢化物气体的气体供给装置，其中

所述钨膜形成处理包括：

通过所述气体供给装置向所述被处理体供给含硅气体的工序；和

在该工序之后，通过交替重复进行供给含钨气体的含钨气体供给步骤与供给不含硅的氢化物气体的氢化物气体供给步骤，并在两步骤之间插入向所述处理容器内供给惰性气体的清扫步骤和/或将所述处理容器抽真空的抽真空步骤，形成第一钨膜的工序。

13.一种半导体装置，包括接触插头，其特征在于，所述接触插头由包括如下工序的方法形成：

在构成为可抽真空的处理容器内，向形成有接触插头的被处理体供给含硅气体的工序；

在该工序之后，通过交替重复进行供给含钨气体的含钨气体供给步骤与供给不含硅的氢化物气体的氢化物气体供给步骤，并在两步骤之间插入向所述处理容器内供给惰性气体的清扫步骤和/或将所述处理容器抽真空的抽真空步骤，形成第一钨膜的工序；

通过向所述第一钨膜同时供给所述含钨气体和还原性气体，进一步形成第二钨膜并埋入所述接触孔的工序；和

在形成所述第二钨膜之后对所述被处理体的表面实施化学机械研磨处理由此形成接触插头的工序。